产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
IPUH6N03LA G PDF |
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产品变化通告 |
Product Discontinuation 04/Jun/2009
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标准包装 |
1,500 |
系列 |
OptiMOS™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
25V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
50A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
6.2 毫欧 @ 50A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
2V @ 30µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
19nC @ 5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
2390pF @ 15V
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功率 - 最大 |
71W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
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供应商设备封装 |
PG-TO251-3
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包装 |
管件
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其它名称 |
IPUH6N03LAGX SP000068594
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